"《模拟电路版图的艺术(原书第3版·中文导读版)》深度适配现代模拟/混合信号集成电路工艺与设计趋势，弱化复杂的物理与数学推导，聚焦器件截面、载流子模型与工程实践，兼具理论系统性与实践指导性。全书系统覆盖模拟版图全知识体系：从器件物理、半导体制造工艺、版图设计基础与典型工艺，到失效机制、电阻/电容/电感等无源器件设计、器件匹配原理，再到双极型与MOS晶体管的设计应用、ESD保护、芯片组装等核心内容；比前两版新增版图设计章节，扩充铜互连、浅沟槽隔离、先进封装、光学邻近校正等现代工艺内容，补充电迁移、氢化机制、阱邻近效应、器件匹配定量分析等大量前沿知识，全面贴合当前集成电路设计与制造需求。 《模拟电路版图的艺术(原书第3版·中文导读版)》既适合集成电路科学与工程、微电子科学与工程、电子科学与技术等相关专业的本科生与研究生作为教材使用，也适合作为集成电路设计、制造、应用领域工程师的参考用书，同时为开展双语教学的师生提供专业的导读支持。 "

艾伦·黑斯廷斯（Alan Hastings），国际知名模拟电路版图设计专家，资深工程师，毕业于美国佛罗里达大学电气工程专业，曾任职于德州仪器（TI）公司，拥有数十年模拟芯片研发与版图设计经验。深耕半导体工程实践，对电路物理实现、噪声优化、可靠性及工艺匹配有深刻理解。著有The Art of Analog Layout ，该书兼具理论原理与工程实践，被全球多所高校选为教材，成为模拟电路版图设计从业者不可或缺的参考著作。

第3版前言 The Art of Analog Layout，Second Edition出版至今已有16年。硅仍是主导性的半导体材料，MOS晶体管依旧是最常用的有源器件。它们的栅长不断缩小，单颗芯片上的晶体管数量已增至数万乃至数十万。更先进的混合信号工艺如今采用大马士革铜互连技术； 准分子激光光刻机已在很大程度上取代了I线步进光刻机； 新建晶圆厂均采用12英寸（300mm）晶圆； 浅沟槽隔离技术基本取代了LOCOS工艺； 多种更高功率、更高密度的封装技术应运而生； 光学邻近校正愈发复杂，设计规则检查（DRC）规则集如今包含数千条规则。简而言之，时代已然变迁，第2版已略显过时。 2018年年初，当我着手修订本书时，很快意识到不能仅在此处添加段落、在彼处插入图片。需要修改的内容太多，如此多的改动会严重破坏原文的逻辑连贯性。单纯的修订已无法满足需求，亟须一部全新的著作。第3版在很大程度上延续了前两版的风格，但它更是一部独立完整的作品，若非经过漫长而艰巨的重写，便无法达到如今的完整性与统一性。 下面说明一下改动的范围。 第1章“器件物理”仅需少量更新。 第2章“半导体制造”中关于制造工艺新增大量内容，涵盖硅刻蚀、隔离系统、晶圆键合、化学机械抛光、单大马士革铜互连与双大马士革铜互连以及封装等主题。 第3章“版图设计”为新增章节，包含历史背景、版图编辑器的基本原理、主要交换文件格式的描述、掩模对准与可缩放设计规则的讨论，以及图形生成的相关信息。 第4章“典型工艺”保留标准双极型工艺和多晶硅栅CMOS工艺，尽管这些工艺已不再广泛使用，但...